存儲(chǔ)器 M25PE10-VMN6TP 閃存
發(fā)布時(shí)間：2018/4/11
M25PE10-VMN6TP介紹：
類別 集成電路（IC）
存儲(chǔ)器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 停產(chǎn)
存儲(chǔ)器類型 非易失
存儲(chǔ)器格式 閃存
技術(shù) FLASH - NOR
存儲(chǔ)容量 1Mb （128K x 8）
時(shí)鐘頻率 75MHz
寫周期時(shí)間 - 字，頁 15ms，3ms
存儲(chǔ)器接口 SPI
電壓 - 電源 2.7 V ~ 3.6 V
工作溫度 -40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝 8-SO
基本零件編號(hào) M25PE10
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閃存的基本單元電路，與EEPROM類似，也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是第一層?xùn)沤橘|(zhì)很薄，作為隧道氧化層。寫入方法與EEPROM相同，在第二級(jí)浮空柵加以正電壓，使電子進(jìn)入第一級(jí)浮空柵。讀出方法與EPROM相同。擦除方法是在源極加正電壓利用第一級(jí)浮空柵與源極之間的隧道效應(yīng)，把注入至浮空柵的負(fù)電荷吸引到源極。
