晶體管 IXTA42N25P FET
發(fā)布時(shí)間：2018/6/26
IXTA42N25P介紹：
描述 MOSFET N-CH 250V 42A TO-263
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況 / 對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級(jí)（MSL） 1（無(wú)限）
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 24 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 250V 42A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 IXYS
系列 PolarHT??
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類(lèi)型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 250V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 42A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 84 毫歐 @ 500mA，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 5.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 70nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 2300pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 TO-263（IXTA）
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn) + 接片），TO-263AB
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在模擬電路中，晶體管用于放大器、音頻放大器、射頻放大器、穩(wěn)壓電路；在計(jì)算機(jī)電源中，主要用于開(kāi)關(guān)電源。
晶體管也應(yīng)用于數(shù)字電路，主要功能是當(dāng)成電子開(kāi)關(guān)。數(shù)字電路包括邏輯門(mén)、隨機(jī)存取內(nèi)存（RAM）和微處理器。
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